Исследователи из Новосибирского государственного университета работают над созданием новых материалов для элементов памяти будущего.
Сотрудники аналитического и технологического исследовательского центра «Высокие технологии и наноструктурированные материалы» изучили перенос заряда в структурах «металл — диэлектрик — проводник» на основе германо-силикатных стёкол. Они обнаружили мемристорный эффект, который позволяет элементам памяти сохранять информацию после многократного использования.
Кремний обеспечивает стабильность, а германий облегчает перемещение заряда. Исследователи создали плёнки с различными пропорциями этих оксидов и изучили прохождение тока при разных температурах.
Это исследование имеет значение для фундаментальной науки и может привести к созданию элементов памяти, превосходящих существующие по количеству циклов перезаписи, долговечности, эффективности и надёжности.
«Ростелеком» и девелопер «Селфстроит» объединят усилия по внедрению цифровых решений в жилых комплексах Республики Алтай.…
В Новосибирской области с 1 по 10 октября пройдет Декада пожилых людей. В рамках мероприятий…
Конкурс «Бюджет для граждан» вас ждет! Можно ли говорить об бюджете Новосибирской области и ее…
Глава региона принял участие в заседании межведомственной комиссии Новосибирской области по вопросам организации отдыха и…
Со следующего месяца у новосибирских автомобилистов появится еще одна причина следить за сроком действия ОСАГО.…
Как рассказали в Управлении Росгвардии по Новосибирской области, с сентября 2026 года граждане РФ могут…