Фото из архива СовСибири
Исследователи из Новосибирского государственного университета работают над созданием новых материалов для элементов памяти будущего.
Сотрудники аналитического и технологического исследовательского центра «Высокие технологии и наноструктурированные материалы» изучили перенос заряда в структурах «металл — диэлектрик — проводник» на основе германо-силикатных стёкол. Они обнаружили мемристорный эффект, который позволяет элементам памяти сохранять информацию после многократного использования.
Кремний обеспечивает стабильность, а германий облегчает перемещение заряда. Исследователи создали плёнки с различными пропорциями этих оксидов и изучили прохождение тока при разных температурах.
Это исследование имеет значение для фундаментальной науки и может привести к созданию элементов памяти, превосходящих существующие по количеству циклов перезаписи, долговечности, эффективности и надёжности.
В Ордынском районе Новосибирской области обсудили строительство жилья для ветеранов СВО. На встрече, организованной региональными…
Команда Здвинской центральной районной больницы приняла участие в зональном этапе IX Летней спартакиады среди работников…
Воспитанники объединения «Юный художник» Дома детского творчества побывали на значимом культурном событии — персональной выставке…
О методах профилактики заболеваний, опасности стресса и правилах измерения давления в эфире программы «Регион LIFE»…
С 3 августа в регионе началась выдача разрешений на добычу лося и косули в общедоступных…
С 8 по 12 августа в Красноярске прошел Всероссийский фестиваль «Готов к труду и обороне»…