Фото из архива СовСибири
Исследователи из Новосибирского государственного университета работают над созданием новых материалов для элементов памяти будущего.
Сотрудники аналитического и технологического исследовательского центра «Высокие технологии и наноструктурированные материалы» изучили перенос заряда в структурах «металл — диэлектрик — проводник» на основе германо-силикатных стёкол. Они обнаружили мемристорный эффект, который позволяет элементам памяти сохранять информацию после многократного использования.
Кремний обеспечивает стабильность, а германий облегчает перемещение заряда. Исследователи создали плёнки с различными пропорциями этих оксидов и изучили прохождение тока при разных температурах.
Это исследование имеет значение для фундаментальной науки и может привести к созданию элементов памяти, превосходящих существующие по количеству циклов перезаписи, долговечности, эффективности и надёжности.
23 мая в Новосибирске пройдет десятый полумарафон «ЗаБег.РФ», в котором примут участие более пяти тысяч…
В Новосибирске прошло заседание Совета по патриотическому воспитанию при губернаторе Новосибирской области. Рассмотрены итоги мониторинга…
Более 110 тысяч жителей Новосибирской области проголосовали за благоустройство общественных территорий в рамках проекта «Формирование…
В Новосибирской области участникам специальной военной операции и их семьям предоставляют более 100 мер поддержки.…
В 2026 году в России будет еще три коротких рабочих недели: в июне, ноябре и…
15 мая 2026 года в Здвинской школе №1 прошёл районный этап XV спартакиады пенсионеров Новосибирской…