Фото из архива СовСибири
Исследователи из Новосибирского государственного университета работают над созданием новых материалов для элементов памяти будущего.
Сотрудники аналитического и технологического исследовательского центра «Высокие технологии и наноструктурированные материалы» изучили перенос заряда в структурах «металл — диэлектрик — проводник» на основе германо-силикатных стёкол. Они обнаружили мемристорный эффект, который позволяет элементам памяти сохранять информацию после многократного использования.
Кремний обеспечивает стабильность, а германий облегчает перемещение заряда. Исследователи создали плёнки с различными пропорциями этих оксидов и изучили прохождение тока при разных температурах.
Это исследование имеет значение для фундаментальной науки и может привести к созданию элементов памяти, превосходящих существующие по количеству циклов перезаписи, долговечности, эффективности и надёжности.
18 марта, в годовщину воссоединения Крыма с Россией, в Новосибирской области подвели итоги второго этапа…
Новосибирская компания «Аскон» подвела итоги участия в нацпроекте «Производительность труда»: лин-технологии помогли сократить количество брака…
В марте в компании «Россети Новосибирск» (АО РЭС) прошла «Неделя клиента» для представителей малого и…
В Здвинской школе № 1 в восьмом классе состоялся открытый урок географии, на котором присутствовали…
20 марта в 14:00 часов в общественном пространстве «Апельсин» по адресу: с. Здвинск, ул. Мира,…
В преддверии декады молодого избирателя в селе Цветники для старшеклассников прошёл информационный час на тему…