Фото из архива СовСибири
Исследователи из Новосибирского государственного университета работают над созданием новых материалов для элементов памяти будущего.
Сотрудники аналитического и технологического исследовательского центра «Высокие технологии и наноструктурированные материалы» изучили перенос заряда в структурах «металл — диэлектрик — проводник» на основе германо-силикатных стёкол. Они обнаружили мемристорный эффект, который позволяет элементам памяти сохранять информацию после многократного использования.
Кремний обеспечивает стабильность, а германий облегчает перемещение заряда. Исследователи создали плёнки с различными пропорциями этих оксидов и изучили прохождение тока при разных температурах.
Это исследование имеет значение для фундаментальной науки и может привести к созданию элементов памяти, превосходящих существующие по количеству циклов перезаписи, долговечности, эффективности и надёжности.
Запущен второй сезон всероссийского конкурса «Время смыслов», посвященного памяти Героя России Сергея Ефремова. Цель –…
В Новосибирской области завершена подготовка гуманитарного груза для мобилизованных граждан региона, проходящих службу в зоне…
Обычай украшать новогоднюю елку в Россию пришел во время правления Петра I. Раньше новогоднее дерево…
Реализация наставничества в рамках регионального проекта «Герои Новосибири», направленного на профессиональную адаптацию и поддержку участников…
В Новосибирской области в новогодние праздники пройдут более 1500 культурных, спортивных и молодежных мероприятий. Они…
Глава Здвинского района Эдуард Щербаков при участии первого заместителя главы администрации Здвинского района – начальника…