Фото из архива СовСибири
Исследователи из Новосибирского государственного университета работают над созданием новых материалов для элементов памяти будущего.
Сотрудники аналитического и технологического исследовательского центра «Высокие технологии и наноструктурированные материалы» изучили перенос заряда в структурах «металл — диэлектрик — проводник» на основе германо-силикатных стёкол. Они обнаружили мемристорный эффект, который позволяет элементам памяти сохранять информацию после многократного использования.
Кремний обеспечивает стабильность, а германий облегчает перемещение заряда. Исследователи создали плёнки с различными пропорциями этих оксидов и изучили прохождение тока при разных температурах.
Это исследование имеет значение для фундаментальной науки и может привести к созданию элементов памяти, превосходящих существующие по количеству циклов перезаписи, долговечности, эффективности и надёжности.
Минцифра Новосибирской области внедрила нового чат-бота на платформе национального мессенджера МАХ. Цифровой ассистент Единого контактного…
Новосибирская область вносит значительный вклад в продовольственную безопасность благодаря продуктивной племенной работе, поддерживаемой государством. В…
В Новосибирской области стартовал проект «Русская Сибирь» по созданию уникального иконостаса для храма апостола Андрея…
Почти 1400 студентов объединит авиастроительный кластер в Новосибирской области к 2028 году. Кластер создан на…
Количество пользователей приложения «Госуслуги Дом» в Новосибирской области достигло 250 тысяч. Сервис создан для упрощения…
2 октября в Новосибирском колледже электроники и вычислительной техники открылась лаборатория «Бережливое производство». Мероприятие приурочено…